典型文献
一种四通道高压抗辐射12位DAC
文献摘要：
基于0.6 μm高低压兼容CMOS工艺,设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器(DAC).采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅运放作为缓冲输出,保证了 DAC良好的单调性,提高了抗辐射能力.该DAC芯片尺寸为5.80 mm×3.70 mm.测试结果表明,在正负电源电压分别为±5 V时,DAC的输出范围达到-2.5～2.5 V,功耗为26.95 mW,DNL为0.41 LSB,INL为0.34 LSB,输出建立时间为6.5 μs,INL匹配度为0.11 LSB.
文献关键词：
高压DAC;MOS管阈值;NMOS管环栅;总剂量辐射
中图分类号：
作者姓名：
王忠焰;胡永菲;高炜祺
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]王忠焰;胡永菲;高炜祺-.一种四通道高压抗辐射12位DAC)[J].微电子学,2022(04):582-586
A类：
梯形网络,共源共栅运放
B类：
四通道,抗辐射,DAC,高低压,CMOS,数模转换器,2R,折叠,单调性,辐射能力,芯片尺寸,正负,负电,电源电压,压分,功耗,mW,DNL,LSB,INL,建立时间,匹配度,NMOS,总剂量辐射
AB值：
0.39697
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