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碳化硅MOSFET的高温栅偏特性
文献摘要：
针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究.以阈值电压(VTH)和体二极管通态压降(VSD)作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期恢复下特征参数的不稳定现象以及长期恢复对特征参数的影响进行了分析.试验结果表明,SiC MOSFET的VTH和VSD均受负向和正向高温栅偏的影响,并能够产生相反方向的参数漂移.撤去应力后存在恢复现象,使电参数受可恢复部分偏移量的影响具有不稳定性,且经过长期室温储存后仍存在进一步的恢复.
文献关键词：
碳化硅(SiC)MOSFET;高温栅偏(HTGB);阈值电压;体二极管通态压降;恢复现象
中图分类号：
作者姓名：
崔江;王景霖;陈一凡;林华
作者机构：
南京航空航天大学 自动化学院,南京 211106;航空工业上海航空测控技术研究所,上海 201601;故障诊断与健康管理技术航空科技重点实验室,上海 201601
文献出处：
引用格式：
[1]崔江;王景霖;陈一凡;林华-.碳化硅MOSFET的高温栅偏特性)[J].半导体技术,2022(11):915-920
A类：
HTGB,体二极管通态压降,通态压降
B类：
碳化硅,MOSFET,SiC,开高,阈值电压,VTH,VSD,测试试验,试验平台,偏应力,参数退化,不稳定现象,反方,漂移,撤去,去应力,恢复现象,电参数,复部,偏移量
AB值：
0.300553
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