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一种非对称欠压锁定电路设计
文献摘要：
传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷.为精准实现低温漂,提出了一种欠压锁定电路结构,该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压,进而降低了阈值电压的温度敏感性,提高了阈值电压的精度.该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压,克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点.电路基于0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明:当电源电压高于上门限阈值电压(VIH)2.2 V时,芯片系统正常工作;当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时,芯片系统被关断;在-55～+125℃温度范围内,该电路的滞回电压为0.19 V,VIH温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW.
文献关键词：
欠压锁定;滞回电压;阈值电压;温度漂移;功耗
中图分类号：
作者姓名：
张媛;汪西虎;商世广;董振斌
作者机构：
西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121;上海电子线路智能保护工程技术研究中心,上海 201202;上海维安电子有限公司, 上海 201202
文献出处：
引用格式：
[1]张媛;汪西虎;商世广;董振斌-.一种非对称欠压锁定电路设计)[J].电子元件与材料,2022(05):539-544
A类：
欠压锁定,该欠,+125
B类：
电路设计,统带,带隙基准,UVLO,温漂特性,功耗,低温漂,电路结构,差分放大器,非对称性,滞回电压,阈值电压,温度敏感性,欠压保护,保护电路,路通,反馈控制,控制法,下门,门限,抗干扰能力,路基,BCD,工艺设计,电源电压,上门,VIH,压低,关断,下为,温度漂移
AB值：
0.31247
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