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磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展
文献摘要：
孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一.针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性及生长系统稳定性等因素对孪晶形成的影响.借助多晶硅中孪晶现象和形核机理解释了 InP多晶中孪晶形核现象.同时,总结了掺杂剂及杂质元素对孪晶形成的影响.最后,对InP生长过程中孪晶形成及抑制方法进行了展望.InP单晶中孪晶的抑制将会大幅降低InP单晶衬底的成本,推动InP微电子及光电子领域的发展.
文献关键词：
孪晶;半导体材料;磷化铟(InP);多晶硅;晶体生长
中图分类号：
作者姓名：
王书杰;孙聂枫;徐森锋;史艳磊;邵会民;姜剑;张晓丹
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]王书杰;孙聂枫;徐森锋;史艳磊;邵会民;姜剑;张晓丹-.磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展)[J].半导体技术,2022(08):593-601,669
A类：
B类：
磷化铟,孪晶,晶形,形成机理,化合物半导体,成品率,前半,半导体材料,材料领域,InP,形核,物理模型,材料属性,晶体生长,肩角,温度梯度,生长速率,小平面,系统稳定性,多晶硅,机理解释,掺杂剂,杂质元素,生长过程,抑制方法,单晶衬底,微电子,光电子
AB值：
0.327138
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