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GaZnO薄膜晶体管在紫外探测中的性能研究
文献摘要：
本实验中,在室温下采用磁控溅射方法在SiO2衬底上沉积了GaZnO薄膜,研究Ga元素的少量掺杂对薄膜表面形貌以及器件光电性能的影响,并且制备了底栅型结构的薄膜晶体管.实验结果表明,在可见光区域,GaZnO薄膜的透过率达到了90％以上,在入射波长为365 nm的光照下其响应时间较快,达到了5.2 s,响应度达到了18.75 A/W,灵敏度在100～103之间.
文献关键词：
GaZnO薄膜晶体管;响应时间;响应度;灵敏度
中图分类号：
作者姓名：
高悍津;高晓红;王森;孙玉轩;杨晨;张子博
作者机构：
吉林建筑大学 电气与计算机学院,吉林长春,130000
文献出处：
引用格式：
[1]高悍津;高晓红;王森;孙玉轩;杨晨;张子博-.GaZnO薄膜晶体管在紫外探测中的性能研究)[J].电子制作,2022(08):16-18
A类：
GaZnO
B类：
薄膜晶体管,紫外探测,磁控溅射,SiO2,衬底,表面形貌,光电性能,可见光,透过率,入射波,照下,响应时间,响应度
AB值：
0.252665
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