典型文献
周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响
文献摘要：
为了提高单周期BSZT/BTO薄膜的性能,采用射频磁控溅射技术制备了(BSZT/BTO)n(n=1,2,3,4)多周期异质结构薄膜.通过XRD、SEM和电学性能测试等手段探究周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响.结果表明,随着周期数n的增加,(BSZT/BTO)n薄膜结晶性增强,介电常数增大,介电损耗减小.在1 MHz测试条件下,(BSZT/BTO)4薄膜的介电常数为187,介电损耗仅为0.02,同时薄膜的铁电性略微增加,而漏电流密度降低到了1.16×10-5A/cm2,这表明(BSZT/BTO)n薄膜周期数增加能有效提高薄膜的微观结构和电学性能.除此之外,还对(BSZT/BTO)4薄膜漏电流密度机制与温度和电场强度的关系进行了研究,从机理上说明了(BSZT/BTO)4薄膜漏电流密度特性.
文献关键词：
射频磁控溅射;多周期;(BSZT/BTO) n;漏电流密度
中图分类号：
作者姓名：
季航;胡睿;余萍
作者机构：
中国工程物理研究院 计量测试中心, 四川 绵阳 621000;四川大学 材料科学与工程学院, 四川 成都 610041
文献出处：
引用格式：
[1]季航;胡睿;余萍-.周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响)[J].电子元件与材料,2022(07):673-679
A类：
BSZT
B类：
期数,BTO,电学性能,射频磁控溅射,磁控溅射技术,多周期,异质结构,膜结晶,结晶性,介电常数,介电损耗,耗减,MHz,测试条件,铁电性,略微,漏电流密度,5A,除此之外,电场强度
AB值：
0.180428
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