典型文献
一种针对小信号探测的低噪声放大器
文献摘要：
针对放大器中的直流偏移和低频噪声干扰问题,设计了一种具有4种工作状态的低噪声放大器.该放大器综合利用了斩波技术和自归零技术,通过对噪声进行调制和采样,实现了对以1/f噪声为代表的低频噪声和以失调电压为代表的直流偏移的抑制.鉴于自归零技术是一种离散时间采样技术,该放大器还采用了乒乓结构,通过4种电路状态的交替工作,实现了放大器的连续稳定输出.该放大器芯片基于0.5 μm CMOS工艺设计制备,片上面积约1mm2,供电电压(VDD)为3～5.5V,输入共模电压范围为+0.2 V至VDD-0.2 V.测试结果表明,该放大器的电源抑制比为62 dB,共模抑制比为112 dB.在4 V供电电压和室温条件下,放大器的残余失调电压为4.2 μV,在1～400 Hz带宽内的有效输入参考噪声为5.81 μV.
文献关键词：
低频噪声;失调电压;斩波技术;自归零技术;乒乓结构
中图分类号：
作者姓名：
马伟;王宇;王美玉;肖知明;胡伟波
作者机构：
南开大学电子信息与光学工程学院,天津 300350
文献出处：
引用格式：
[1]马伟;王宇;王美玉;肖知明;胡伟波-.一种针对小信号探测的低噪声放大器)[J].半导体技术,2022(09):712-718
A类：
自归零技术,乒乓结构,1mm2
B类：
小信号,低噪声放大器,直流偏移,低频噪声,噪声干扰,干扰问题,工作状态,斩波技术,失调电压,离散时间,电路状态,替工,片基,CMOS,工艺设计,设计制备,上面,供电电压,VDD,5V,共模电压,+0,电源抑制比,dB,共模抑制比
AB值：
0.270239
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