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全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介
文献摘要：
随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小.功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FDSOI)技术被进一步研发和产品化.对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结.FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能,采用应力优化提高迁移率,通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容,因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品.FDSOI具有巨大的市场潜力,将成为半导体技术一个重要的发展方向.
文献关键词：
全耗尽绝缘层上硅;超薄埋氧;体偏置
中图分类号：
作者姓名：
赵晓松;顾祥;张庆东;吴建伟;洪根深
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]赵晓松;顾祥;张庆东;吴建伟;洪根深-.全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介)[J].电子与封装,2022(06):77-85
A类：
全耗尽绝缘层上硅,绝缘层上硅,Depleted,FDSOI,超薄埋氧
B类：
简介,半导体技术,微缩,缩到,晶体管,成本优势,可穿戴设备,汽车电子,关注点,Fully,Silicon,Insulator,产品化,体偏置,高迁移率,减薄,膜厚度,短沟道效应,寄生电容,低功耗,处理器,低噪声放大器,嵌入式存储,存储器,市场潜力
AB值：
0.273725
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