典型文献
双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究
文献摘要：
为在现有RFET产品基础上寻求改进,设计提出一种高集成的双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管(BSBRFET),不同于传统异或非门电路,只用单个晶体管即可实现异或非逻辑门功能.采用完全肖特基接触,屏蔽掉热电子发射电流,以带带隧穿电流作为正向导通机制;引入浮动源极来存储、积累电荷.遵循BSBRFET工作原理和输出特性一致性,在实验中对其异或非功能做出验证.与传统RFET相比,此器件能实现更低的亚阈值摆幅、更小的反向偏置电流、更高的开关电流比,在能够实现NXOR逻辑功能同时,对于提高输出特性一致性也具有优势.
文献关键词：
可重构场效应晶体管;双肖特基势垒;异或非;带带隧穿
中图分类号：
作者姓名：
王妍;靳晓诗
作者机构：
沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳110870
文献出处：
引用格式：
[1]王妍;靳晓诗-.双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究)[J].微处理机,2022(04):18-21
A类：
双肖特基势垒,异或非,可重构场效应晶体管,RFET,BSBRFET,浮动源,NXOR
B类：
高集成,或非门,门电路,只用,逻辑门,肖特基接触,屏蔽掉,热电子发射,带带隧穿,向导,导通,通机,电荷,输出特性,非功能,亚阈值摆幅,偏置,开关电流比,逻辑功能,高输出
AB值：
0.196155
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