典型文献
高效率蓝光硅光探测器外延结构及特性研究
文献摘要：
为了实现硅基雪崩光电二极管蓝光波段(400～500 nm)高光响应度,设计了SACM型基本器件结构,探究了倍增层厚度对器件的雪崩击穿电压及光电流增益的影响及倍增层掺杂浓度对光响应度的影响,综合考虑光响应度和击穿电压的因素,结果表明:当表面非耗尽层掺杂浓度为1.0×1018 cm?3、厚度为0.03μm;吸收层掺杂浓度为1.0×1015 cm?3、厚度为1.3μm;场控层掺杂浓度为8.0×1016 cm?3、厚度为0.2μm;倍增层掺杂浓度为1.8×1016 cm?3、厚度为0.5μm时,器件具有较低的击穿电压Vbr-apd=34.2 V.当Vapd=0.95 Vbr-apd,该结构在蓝光波段具较高的光响应度(SR=3.72～6.08 A·W?1).上述研究结果对高蓝光探测响应度Si-APD实际器件的制备具有一定的参考价值.
文献关键词：
雪崩光电二极管;硅;光谱响应度
中图分类号：
作者姓名：
陈伟帅;王浩冰;陶金;高丹;吕金光;秦余欣;郭广通;李香兰;王强;张军;梁静秋;王惟彪
作者机构：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 应用光学国家重点实验室, 长春 130033;中国科学院大学, 北京 100049;暨南大学理工学院, 广州市可见光通信工程技术重点实验室, 广州 510632
文献出处：
引用格式：
[1]陈伟帅;王浩冰;陶金;高丹;吕金光;秦余欣;郭广通;李香兰;王强;张军;梁静秋;王惟彪-.高效率蓝光硅光探测器外延结构及特性研究)[J].中国光学,2022(03):568-591
A类：
倍增层掺杂浓度,Vbr,apd,Vapd
B类：
蓝光,硅光,光探测器,硅基,雪崩光电二极管,光波,波段,光响应度,SACM,器件结构,雪崩击穿,击穿电压,光电流,电流增益,耗尽层,SR,Si,APD,光谱响应度
AB值：
0.229
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
