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InAlAs浓度对In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17As红外探测器特性的影响
文献摘要：
红外探测器的性能受内部结构各层掺杂浓度的影响,而倍增层掺杂浓度会明显改变器件的性能.为了降低暗电流,提高器件性能,采用三元化合物In0.83Al0.17As作为倍增层材料,借助仿真软件Silvaco详细研究了In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17As红外探测器的倍增层掺杂浓度对器件电场强度、电流特性和光响应度的影响规律.结果表明,随着倍增层掺杂浓度的增加,器件倍增层内的电场强度峰值增加,同时,器件的暗电流与光响应度减小.进一步研究发现,当倍增层掺杂浓度为2×1016?cm?3时,器件获得最优性能,暗电流密度为0.62144?A/cm2,在波长为1.5?μm时,光响应度和比探测率分别为0.9544?A/W和1.9475×109?cmHz1/2W?1.
文献关键词：
红外探测器;倍增层掺杂浓度;电场分布;暗电流;比探测率
中图分类号：
作者姓名：
叶伟;杜鹏飞;萧生;李梦飞
作者机构：
陕西理工大学 机械工程学院,陕西 汉中 723001
文献出处：
引用格式：
[1]叶伟;杜鹏飞;萧生;李梦飞-.InAlAs浓度对In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17As红外探测器特性的影响)[J].应用光学,2022(02):317-324
A类：
83Ga0,倍增层掺杂浓度,cmHz1
B类：
InAlAs,In0,83Al0,17As,红外探测器,器件性能,Silvaco,电场强度,光响应度,最优性能,暗电流密度,比探测率,2W,电场分布
AB值：
0.159729
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