典型文献
InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响
文献摘要：
为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻底隔断键合界面异质晶格,同时保证InGaAs吸收层和Si倍增层超高的晶体质量和良好的电学传输.模拟了a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能影响.由于a-Si的载流子阻挡作用,器件在室温下获得了超低暗电流,且在偏压大于击穿电压后,光暗电流出现电流间隙,这将为超低噪声InGaAs/Si雪崩光电二极管的研制指明方向.
文献关键词：
InGaAs/Si键合;雪崩光电二极管;a-Si键合层;晶格失配;异质键合
中图分类号：
作者姓名：
佘实现;张烨;黄志伟;周锦荣;柯少颖
作者机构：
闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州 363000
文献出处：
引用格式：
[1]佘实现;张烨;黄志伟;周锦荣;柯少颖-.InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响)[J].光子学报,2022(02):172-181
A类：
异质键合
B类：
InGaAs,Si,键合界面,雪崩光电二极管,入超,超薄,隔断,倍增,晶体质量,电学,载流子,阻挡,暗电流,偏压,击穿电压,超低噪声,指明方向,晶格失配
AB值：
0.197939
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