典型文献
可见光盲SiC紫外雪崩光电二极管
文献摘要：
SiC雪崩光电二极管(APD)是用于探测微弱紫外光的优选器件.通过研究器件在高压下的光响应行为,发现随着偏压的增加,器件响应峰值和截止波长始终稳定在280 nm和380 nm处,表明SiC APD在雪崩击穿状态下仍具有可见光盲特性.这说明SiC APD在进行微弱紫外光探测时,凭借材料本身性质便可屏蔽可见及红外光的影响,有利于降低器件复杂度和成本.另外,为了增大器件的感光面积,将SiC APD直径增大到500 μm,器件在95％击穿电压下,暗电流仅为2×10-10 A,当暗计数为1 Hz/μm2时,器件单光子探测效率为0.7％,实现了 SiC APD尺寸上的突破.
文献关键词：
激光器;SiC;雪崩光电二极管;可见光盲;大面积
中图分类号：
作者姓名：
杨成东;苏琳琳;夏开鹏;马文烨
作者机构：
无锡学院电子信息工程学院,江苏无锡214105
文献出处：
引用格式：
[1]杨成东;苏琳琳;夏开鹏;马文烨-.可见光盲SiC紫外雪崩光电二极管)[J].中国激光,2022(24):15-19
A类：
B类：
可见光盲,SiC,雪崩光电二极管,APD,微弱,紫外光,光响应,响应行为,偏压,截止波长,雪崩击穿,光探测,屏蔽,大器,感光,光面,击穿电压,暗电流,暗计,单光子探测,探测效率,激光器
AB值：
0.306693
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