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Ag纳米线增强硒微米管/聚噻吩自驱动光电探测器性能
文献摘要：
自驱动光电探测器能够满足现代光电器件对节能和轻质的需求,但复杂的工艺和较高的成本限制了其进一步发展.本文采用旋涂法将硒微米管(Se?MT)和聚噻吩(PEDOT)制备成Se?MT/PEDOT异质结,其器件在350～700 nm波长下具有良好的光响应,无偏置电压下的响应度为8 mA/W(500 nm).为了提高器件的光响应度,利用银纳米线(Ag?NW)修饰异质结制备Se?MT/PEDOT/Ag-NW,增强异质结在紫外?可见光区的光吸收并提高器件的光电性能.与Se?MT/PEDOT器件对比,Se?MT/PEDOT/Ag?NW器件在350～700 nm波长下的光电流数值整体上升,特别是在0 V偏压500 nm光照下,器件的响应度提升至65 mA/W(增强800％),开关比增强400％达到552,上升和下降时间明显下降至15 ms和28 ms.这一结果表明Ag?NW改性有机/无机异质结的方法可以应用于高性能光电探测器的制备.
文献关键词：
异质结;银纳米线;自驱动;光电探测器
中图分类号：
作者姓名：
陈荣鹏;冯仕亮;郑天旭;于平平;姜岩峰
作者机构：
江南大学 物联网工程学院,江苏 无锡 214122
文献出处：
引用格式：
[1]陈荣鹏;冯仕亮;郑天旭;于平平;姜岩峰-.Ag纳米线增强硒微米管/聚噻吩自驱动光电探测器性能)[J].发光学报,2022(08):1273-1280
A类：
B类：
Ag,微米,聚噻吩,自驱动,光电探测器,光电器件,轻质,旋涂法,Se,MT,PEDOT,异质结,无偏,偏置电压,mA,光响应度,银纳米线,NW,结在,可见光,光吸收,光电性能,光电流,偏压,照下,开关比,下降时间,ms
AB值：
0.252288
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