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极紫外(EUV)光刻胶的研发
文献摘要：
极紫外(EUV)光刻技术是半导体制造业中应用的最先进光刻技术,与之配套的光刻胶近年来也有了长足发展.本文结合EUV光刻技术面临的新问题和新挑战,分别对高分子型、单分子树脂(分子玻璃)型、有机-无机杂化型EUV光刻胶的国内外研发历程进行了比较完整的综述,希望能为我国的极紫外光刻技术和材料的研发提供帮助.
文献关键词：
材料;极紫外光刻;极紫外光刻胶;光刻
中图分类号：
作者姓名：
郭旭东;杨国强;李嫕
作者机构：
北京分子科学国家研究中心,中国科学院光化学重点实验室,北京100190;中国科学院大学,北京100039;中国科学院理化技术研究所光化学转换与功能材料重点实验室,北京100190
文献出处：
引用格式：
[1]郭旭东;杨国强;李嫕-.极紫外(EUV)光刻胶的研发)[J].激光与光电子学进展,2022(09):48-75
A类：
先进光刻技术,单分子树脂,分子玻璃
B类：
EUV,半导体制造,最先,长足发展,高分子,较完整,极紫外光刻胶
AB值：
0.099153
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