典型文献
先进光刻技术的发展历程与最新进展
文献摘要：
光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术,其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2～3 μm缩小到先进的10～15 nm.在发展过程中,众多先进的技术不断涌现,如投影式光刻、相移掩模版、化学放大型光刻胶、光学邻近效应修正等,及时确保了摩尔法则按时向前推进.以投影光刻发展的历史为主线,从0.25 pm到当今的5 nm再到未来的先进技术节点,对每个关键的技术节点的工艺要求与工艺窗口进行分析,包括采用的新技术及其作用,以展示光刻工艺与相关技术的整体面貌,给读者专业技术的参考.
文献关键词：
光刻;光刻工艺;光刻机;光刻胶;掩模版
中图分类号：
作者姓名：
李艳丽;刘显和;伍强
作者机构：
复旦大学微电子学院,上海201203
文献出处：
引用格式：
[1]李艳丽;刘显和;伍强-.先进光刻技术的发展历程与最新进展)[J].激光与光电子学进展,2022(09):76-92
A类：
先进光刻技术,光学邻近效应修正
B类：
最新进展,半导体集成电路,复制精度,集成电路制造,线宽,相移,掩模版,光刻胶,摩尔,按时,pm,先进技术,工艺要求,工艺窗口,光刻工艺,体面,光刻机
AB值：
0.257186
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