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GaN基LED芯片抗湿性能提升研究
文献摘要：
吸湿失效是影响LED可靠性的一个重要问题.从LED芯片结构着手,在蒸镀钝化层之前在芯片切割走道边缘处镀12 nm厚度的TiO2,宽度分别是5 μm和8 μm,其目的是为了增强与SiO2钝化层的黏附性,同时减少切割带来的钝化层损坏.通过逆电解测试与高温高湿老化测试,测试结果均表明蒸镀TiO2薄膜可以提高LED抗湿性能.
文献关键词：
LED;抗湿性能;逆电解;高温高湿老化;TiO2
中图分类号：
作者姓名：
刘春辉;许英朝;王嘉伟;周琼;林翔宇;王明明;吴盼盼
作者机构：
厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门 361024;厦门理工学院福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门 361024
文献出处：
引用格式：
[1]刘春辉;许英朝;王嘉伟;周琼;林翔宇;王明明;吴盼盼-.GaN基LED芯片抗湿性能提升研究)[J].激光杂志,2022(03):38-41
A类：
吸湿失效,逆电解
B类：
GaN,LED,抗湿性能,性能提升,提升研究,蒸镀,钝化层,割走,走道,TiO2,SiO2,黏附性,高温高湿老化,老化测试
AB值：
0.257198
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