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GaN基蓝光LED吸湿失效分析及改善
文献摘要：
湿气进入LED芯片内部会加速其老化失效,影响其可靠性.本研究模拟实验LED芯片在湿气环境中产生的GaN氧化、金属电极吸湿腐蚀和金属离子迁移等失效外观.利用ALD沉积A12O3钝化层替代传统的PECVD沉积SiO2钝化层.通过逆电解的方式测试了其失效时间,通过高温高湿老化实验测试了其正向电压和亮度变化,实验结果表明:A12O3钝化层的抗湿抗腐蚀能力优于SiO2,且A12O3膜层越厚,效果越显著.
文献关键词：
LED;吸湿失效;钝化层;老化试验;A12O3
中图分类号：
作者姓名：
刘春辉;许英朝;王嘉伟;周琼;林翔宇;王明明;吴盼盼
作者机构：
厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门 361024;厦门理工学院福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门 361024
文献出处：
引用格式：
[1]刘春辉;许英朝;王嘉伟;周琼;林翔宇;王明明;吴盼盼-.GaN基蓝光LED吸湿失效分析及改善)[J].激光杂志,2022(02):21-26
A类：
吸湿失效,湿气环境,逆电解
B类：
GaN,蓝光,LED,失效分析,部会,老化失效,模拟实验,金属电极,金属离子,离子迁移,ALD,A12O3,钝化层,PECVD,SiO2,高温高湿老化,老化实验,实验测试,亮度,抗湿,抗腐蚀能力,膜层,老化试验
AB值：
0.363736
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