典型文献
基于光刻工艺的高分辨全彩QLED器件制备与性能优化
文献摘要：
采用基于光酸反应的光刻工艺,获得均匀的红、绿、蓝三基色量子点薄膜作为发光层,成功制备出高分辨全彩QLED器件(子像素宽度5 μm).通过对光刻量子点表面进行配体钝化,并引入电荷阻挡层以降低非发光区的漏电流,明显提升了全彩QLED的器件性能,所制备器件的最大亮度为23 831 cd/m2,外量子效率为3.78％.
文献关键词：
光刻;像素化;光酸反应;量子点发光器件
中图分类号：
作者姓名：
高宏锦;井继鹏;李福山;胡海龙
作者机构：
福州大学物理与信息工程学院,福州350108
文献出处：
引用格式：
[1]高宏锦;井继鹏;李福山;胡海龙-.基于光刻工艺的高分辨全彩QLED器件制备与性能优化)[J].光电子技术,2022(03):176-180
A类：
光酸反应
B类：
光刻工艺,全彩,QLED,器件制备,制备与性能,性能优化,三基色,量子点薄膜,发光层,钝化,电荷,阻挡层,漏电流,器件性能,最大亮度,cd,外量子效率,像素化,量子点发光器件
AB值：
0.362495
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