典型文献
单片集成谐振式升压转换器设计
文献摘要：
为了解决高频谐振功率转换器功率密度较低的问题,提出基于绝缘体上硅(SOI)工艺平台和氮化镓(GaN)功率晶体管的三维集成的单开关全谐振升压转换器,开关频率为500 MHz.转换器主体采用传统Class-E放大器的衍生电路结构?并联式Class-E拓扑,栅极驱动器采用单管谐振式驱动拓扑.转换器中的谐振电感元件采用SOI工艺中提供的平面螺旋电感实现,谐振电容元件采用GaN功率晶体管的米勒寄生电容实现,硅基芯片与GaN芯片通过三维倒装技术连接.围绕电路参数设计、谐振元件的实现和版图结构设计进行详细分析.实验结果显示,当输入电压为12 V时,片上转换器的最高功率密度为1.481 W/mm2,满载效率为60％,最高效率为89％.本设计为实现高功率密度、高集成度的功率转换器提供了新思路.
文献关键词：
谐振式功率转换器;三维集成;电路设计;功率密度;转换效率
中图分类号：
作者姓名：
刘子恒;孟凡易;王晨菲;马凯学
作者机构：
天津大学 微电子学院,天津 300072
文献出处：
引用格式：
[1]刘子恒;孟凡易;王晨菲;马凯学-.单片集成谐振式升压转换器设计)[J].浙江大学学报（工学版）,2022(05):1035-1043
A类：
升压转换器,谐振式功率转换器
B类：
单片集成,高频谐振,绝缘体上硅,SOI,氮化镓,GaN,功率晶体管,三维集成,单开关,开关频率,MHz,Class,放大器,电路结构,并联式,栅极驱动器,单管,电感元件,平面螺旋电感,谐振电容,米勒,寄生电容,硅基,倒装,参数设计,谐振元件,版图,图结构,输入电压,上转换,高功率密度,mm2,满载,高集成度,电路设计,转换效率
AB值：
0.376943
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