典型文献
一种抗辐射的低功耗14 bit 20 MS/s流水线型ADC
文献摘要:
基于0.35 μm CMOS工艺设计实现了一款抗辐射模数转换器(ADC).通过分析每级流水线分辨率对整体性能和功耗的影响,确定了2 bit/级的流水线结构;同时,针对宇航应用环境,分析了主要的辐射机理,并对ADC进行了抗辐射加固设计.测试结果显示,在2.5 V电源电压、20 MS/s转换速率以及奈奎斯特输入频率条件下,该ADC信噪比(SNR)达到69.9 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到84.9dBc,功耗为60.2 mW,面积为1.988 mm2.在抗辐射性能方面,该ADC的抗稳态总剂量(TID)能力达到100 krad(Si),单粒子闩锁(SEL)阈值达到75 MeV·cm2/mg,非常适用于轨道辐射环境中.
文献关键词:
模数转换器(ADC);流水线;低功耗;总剂量(TID);单粒子闩锁(SEL)
中图分类号:
作者姓名:
周晓丹;刘涛;付东兵;李强;刘杰;郭刚
作者机构:
电子科技大学 电子科学与工程学院,成都 610054;重庆吉芯科技有限公司,重庆 401332;中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;中国原子能科学研究院,北京 102413
文献出处:
引用格式:
[1]周晓丹;刘涛;付东兵;李强;刘杰;郭刚-.一种抗辐射的低功耗14 bit 20 MS/s流水线型ADC)[J].半导体技术,2022(07):570-576
A类:
线分辨率,9dBc,krad
B类:
低功耗,bit,线型,ADC,CMOS,工艺设计,设计实现,模数转换器,整体性能,流水线结构,宇航应用,应用环境,抗辐射加固设计,电源电压,换速,奎斯特,输入频率,SNR,无杂散动态范围,SFDR,mW,mm2,抗辐射性,辐射性能,总剂量,TID,力达,Si,单粒子闩锁,SEL,MeV,辐射环境
AB值:
0.339621
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