典型文献
氢终端金刚石MOSFET击穿机制的仿真研究
文献摘要：
对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA/mm,阈值电压接近20 V,与实测器件性能接近.引入碰撞电离模型,仿真分析了不同结构器件内部电场的分布情况,在栅极边缘和漏电极附近分别出现了电场峰值.通过增加栅介质厚度,可以降低金刚石表面电场强度.大的栅漏间距可以实现更高击穿电压,针对栅介质和金刚石表面的电场尖峰,引入钝化介质和栅场板结构,有效降低了电场峰值,降低了击穿的风险.
文献关键词：
仿真;金刚石;MOSFET;击穿电压;氢终端
中图分类号：
作者姓名：
余浩;周闯杰;蔚翠;何泽召;宋旭波;郭建超;冯志红
作者机构：
专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]余浩;周闯杰;蔚翠;何泽召;宋旭波;郭建超;冯志红-.氢终端金刚石MOSFET击穿机制的仿真研究)[J].半导体技术,2022(03):184-191,198
A类：
氢终端金刚石
B类：
MOSFET,击穿机制,仿真研究,物理仿真,栅介质,介质厚度,氧化铝,漏电流密度,mA,阈值电压,压接,器件性能,电离模型,栅极,极边,表面电场,电场强度,击穿电压,尖峰,钝化,场板结构
AB值：
0.288139
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