典型文献
GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析
文献摘要：
GaN器件较传统Si器件具有耐高压、耐高温、导通电阻小和开关损耗小等优势,但其特有的动态导通电阻现象是限制其大规模应用的主要问题.该文基于动态导通电阻影响机理分析,首先提出一种GaN器件动态导通电阻综合测试平台及测试方法;然后测试了三款同电压/电流等级、不同结构GaN器件在各影响因素下的动态导通电阻,分析影响因素占比及动态导通电阻变化规律,与机理分析进行对比验证;最后从器件应用角度给出动态导通电阻优化方法.该文提出的测试平台测试变量基本涵盖实际应用中的全部动态导通电阻影响因素.实验表明,不同结构GaN器件动态导通电阻特性不同,且占主导的动态导通电阻影响因素不同.从应用层面优化动态导通电阻,可有效降低通态损耗.
文献关键词：
GaN器件;电流崩塌效应;动态导通电阻;精确测试;优化应用方法
中图分类号：
作者姓名：
赵方玮;李艳;魏超;张楠;郑妍璇
作者机构：
北京交通大学电气工程学院 北京 100044
文献出处：
引用格式：
[1]赵方玮;李艳;魏超;张楠;郑妍璇-.GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析)[J].电工技术学报,2022(18):4664-4675
A类：
动态导通电阻,电流崩塌效应,优化应用方法
B类：
GaN,精确测试,Si,耐高压,耐高温,开关损耗,影响机理分析,综合测试,测试平台,后测,三款,对比验证,器件应用,出动,平台测试,应用层,通态损耗
AB值：
0.150131
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