典型文献
SiC MOSFET栅源电压评估及驱动回路参数优化设计方法
文献摘要：
为减少碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的开关时间和导通电阻以提高效率,通常建议驱动电路采用更低的驱动电阻及更高的驱动电压.但是,由于实际驱动电路中存在寄生参数,过快的开关速度容易产生振荡影响栅极的可靠性,限制SiC MOSFET长期高效安全运行.文中以SiC MOSFET驱动电路为研究对象,分析SiC MOSFET开通瞬态过程,建立考虑电路主要寄生参数的数学模型;定量分析驱动电路参数、主电路寄生参数及工况等影响因素对栅源电压的影响规律;揭示栅源电压、实验测试点电压与驱动电压的区别及影响因素;综合考虑器件应力与损耗,提出一种驱动电路参数优化设计方法.实验结果验证了数学模型与分析的正确性.
文献关键词：
碳化硅金属氧化物半导体场效应管;寄生参数;栅源电压;驱动参数设计
中图分类号：
作者姓名：
秦海鸿;谢斯璇;卜飞飞;陈文明;黄文新
作者机构：
南京航空航天大学,江苏省 南京市211106
文献出处：
引用格式：
[1]秦海鸿;谢斯璇;卜飞飞;陈文明;黄文新-.SiC MOSFET栅源电压评估及驱动回路参数优化设计方法)[J].中国电机工程学报,2022(18):6823-6834
A类：
碳化硅金属氧化物半导体场效应管,驱动参数设计
B类：
SiC,MOSFET,栅源电压,电压评估,回路,参数优化设计,优化设计方法,silicon,carbide,metal,oxide,semiconductor,field,effect,transistor,开关时间,导通电阻,提高效率,驱动电路,驱动电阻,驱动电压,寄生参数,栅极,高效安全,开通,瞬态过程,主电路,实验测试,测试点
AB值：
0.295777
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