典型文献
基底偏压对Zr-B-O-N薄膜结构及性能的影响
文献摘要：
二硼化锆(ZrB2)薄膜因具有高熔点、 低电阻率等特点,在硅基器件Cu互连工艺中具有广阔的应用前景.然而,沉积态ZrB2薄膜多呈现结晶态,其晶界会为Cu原子提供快速扩散通道,通过非金属元素(N或O)掺杂可以得到非晶结构的ZrB2薄膜,以提高其扩散阻挡性能.采用反应磁控溅射技术,在不同基底偏压下在单晶Si(100)基底上沉积了Zr-B-O-N薄膜和Cu/Zr-B-O-N双层膜,分别利用原子力显微镜、X射线衍射仪、 透射电子显微镜、 扫描电子显微镜和四点探针仪等检测方法对薄膜的微观组织结构、 电学和扩散阻挡性能进行表征分析.研究结果表明:沉积态Zr-B-O-N薄膜表面平整,粗糙度随基底偏压增加而增加,且薄膜均呈现非晶结构;当基底偏压为150 V时,10 nm厚的非晶Zr-B-O-N薄膜可以在700℃有效阻挡Cu原子扩散.因此,Zr-B-O-N薄膜是一种具有应用潜力的扩散阻挡层材料.
文献关键词：
Zr-B-O-N薄膜;磁控溅射;基底偏压;微观结构;扩散阻挡性能
中图分类号：
作者姓名：
孟瑜;宋忠孝;王小艳;钱旦;刘明霞;李晓华
作者机构：
西安文理学院 陕西省表面工程与再制造重点实验室, 陕西 西安 710065;西安交通大学 金属材料强度国家重点实验室, 陕西 西安 710049;中车永济电机有限公司, 山西 永济 044502
文献出处：
引用格式：
[1]孟瑜;宋忠孝;王小艳;钱旦;刘明霞;李晓华-.基底偏压对Zr-B-O-N薄膜结构及性能的影响)[J].中国材料进展,2022(07):584-588
A类：
基底偏压
B类：
薄膜结构,二硼化锆,ZrB2,高熔点,低电阻率,硅基,互连,沉积态,晶态,晶界,快速扩散,扩散通道,非金属,金属元素,非晶,扩散阻挡性能,反应磁控溅射,磁控溅射技术,下在,单晶,Si,双层膜,原子力显微镜,透射电子显微镜,四点,微观组织结构,电学,表征分析,粗糙度,原子扩散,扩散阻挡层
AB值：
0.279142
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