典型文献
反应磁控溅射法制备厚度均匀分布超高导电性TiN电极薄膜
文献摘要：
微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求.本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅射技术在单晶硅上制备TiN薄膜.通过XRR、GIXRD、四探针测试仪和AFM等表征手段系统研究了衬底偏压、工作气压和溅射电源对薄膜晶体结构和电阻率的影响规律.结果表明,当采用直流电源进行溅射镀膜时,在-200 V的衬底偏压和0.3 Pa的工作气压下,得到了沿(200)晶面择优生长、表面粗糙度为0.7 nm、电阻率为38.7 μΩ·cm的TiN薄膜.在该工艺条件下,分别采用直流和射频电源在4英寸单晶硅衬底上制备TiN薄膜.最终采用射频电源可获得高导电性、原子级平滑且厚度均匀分布的薄膜.分析发现:在使用射频电源的放电溅射过程中,高频交变电场使放电空间的电子在电极之间震荡,产生比直流放电更有效的碰撞电离,因此射频磁控溅射比直流磁控溅射沉积的薄膜更致密.
文献关键词：
微电子器件;反应磁控溅射;TiN薄膜;电阻率;晶体结构
中图分类号：
作者姓名：
史淑艳;马博;薛梦瑶;申浩阳;贾里哈斯;孙纳纳;周大雨
作者机构：
大连理工大学材料科学与工程学院,辽宁大连116024;三束材料改性教育部重点实验室(大连理工大学),辽宁大连116024
文献出处：
引用格式：
[1]史淑艳;马博;薛梦瑶;申浩阳;贾里哈斯;孙纳纳;周大雨-.反应磁控溅射法制备厚度均匀分布超高导电性TiN电极薄膜)[J].材料科学与工艺,2022(03):1-6
A类：
XRR
B类：
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AB值：
0.335639
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