典型文献
溶液法制备透明SnO2薄膜微观结构和光电性能研究
文献摘要：
氧化锡由于其优异的透明性和半导体性能及成本低廉、绿色环保等特点,逐渐成为透明氧化物半导体材料研究的热点.使用异丙醇((CH3)2CHOH)和乙醇(CH3CH2OH)为溶剂、二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)为前驱体,通过旋涂法制备低成本且环保的透明SnO2薄膜.采用同步热分析仪(TG-DSC)、激光共聚焦显微镜和霍尔效应测试仪等设备,对SnO2薄膜的化学组分、微观结构和光电性能进行表征,探究溶剂和退火温度对透明SnO2薄膜的影响及相关机制.研究结果表明:Sn2+在乙醇中的溶解性好,相应前驱体溶液的成膜质量高,薄膜致密平整;提高退火温度,薄膜内部杂质逐渐去除(215.6℃@CH3CH2OH),经过400℃退火后SnO2由非晶态向结晶态转变,且SnO2的结晶度随着温度升高而逐渐增加;基于不同温度制备的SnO2薄膜在可见光波段(390—780 nm)具备优异的透明性,在波长为390 nm时不同温度下的透射率分别为96.55％(250℃)、96.21％(300℃)、95.14％(350℃)、96.44％(400℃)和93.31％(500℃);随着退火温度升高,SnO2薄膜的霍尔迁移率先增大后减小,薄膜载流子浓度先降低后增大,优化后的SnO2薄膜(@350℃)的霍尔迁移率最高可达19.54 cm2?V?1·s?1,而可控载流子浓度低至7.47×1012 cm?2.通过优化溶剂成分和退火温度,最终制备了表面平整、高度透明且具备优良半导体性能的SnO2薄膜,其在透明电子应用方面具有巨大的潜力.
文献关键词：
旋涂法;透明SnO2;薄膜;退火温度;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
张旭;宁洪龙;邹文昕;吴振宇;张康平;郭晨潇;刘丁荣;侯明玥;姚日晖;彭俊彪
作者机构：
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,高分子光电材料与器件研究所,广东 广州 510641
文献出处：
引用格式：
[1]张旭;宁洪龙;邹文昕;吴振宇;张康平;郭晨潇;刘丁荣;侯明玥;姚日晖;彭俊彪-.溶液法制备透明SnO2薄膜微观结构和光电性能研究)[J].材料研究与应用,2022(03):369-375
A类：
2CHOH
B类：
溶液法,SnO2,光电性能,氧化锡,透明性,氧化物半导体,半导体材料,材料研究,异丙醇,CH3CH2OH,二水合氯化亚锡,SnCl2,2H2O,前驱体,过旋,旋涂法,同步热分析仪,DSC,激光共聚焦显微镜,霍尔效应,测试仪,化学组分,退火温度,相关机制,Sn2+,溶解性,成膜,非晶态,晶态转变,结晶度,可见光波段,透射率,迁移率,载流子浓度,先降,电子应用
AB值：
0.266205
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