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TiN/HfxZr1-xO2/TiN铁电电容器的原位生长与表征
文献摘要：
HfO2基铁电电容器,特别是TiN/HfxZr1-xO2/TiN金属-绝缘体-金属电容器,由于其良好的稳定性、高性能和互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性,在新一代非易失性存储器中有着广阔的应用前景.由于TiN/HfxZr1-xO2/TiN电容器的电性能与HfxZr1-xO2铁电薄膜与TiN电极层界面质量相关,因此控制TiN/HfxZr1-xO2/TiN异质结构的制备和表征至关重要.本文报道了一种三明治结构:HfxZr1-xO2铁电薄膜夹在两个TiN电极之间的新的制备方法,通过超高真空系统互连的原子层沉积(ALD)和磁控溅射设备实现.原位生长和表征结果表明,ZrO2掺杂浓度和快速热退火温度可以调节TiN/HfxZr1-xO2/TiN异质结的铁电性能,并能很好地被互连系统监控.在该体系中,通过在HfO2中掺杂50％(molar fraction,x)ZrO2并且在600℃下快速热退火(RTA),获得了21.5 μC·cm-2的高剩余极化率和1.35 V的低矫顽电压.
文献关键词：
铁电;表面;界面;HfO2;真空互联;原位
中图分类号：
作者姓名：
殷宇豪;沈阳;王虎;陈肖;邵林;华文宇;王娟;崔义
作者机构：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米真空互联实验站,江苏苏州215123;中国科学技术大学纳米科学与技术学院,合肥230026;无锡拍字节科技有限公司,江苏无锡214028;Department of Physics and Engineering Physics,The University of Tulsa,Tulsa,OK 74104,USA
文献出处：
引用格式：
[1]殷宇豪;沈阳;王虎;陈肖;邵林;华文宇;王娟;崔义-.TiN/HfxZr1-xO2/TiN铁电电容器的原位生长与表征)[J].物理化学学报,2022(05):89-96
A类：
HfxZr1,铁电电容器,真空互联
B类：
TiN,xO2,原位生长,HfO2,基铁,绝缘体,互补金属氧化物半导体,CMOS,兼容性,非易失性存储器,铁电薄膜,质量相关,异质结构,三明治结构,制备方法,超高真空,真空系统,互连,原子层沉积,ALD,磁控溅射,ZrO2,掺杂浓度,快速热退火,退火温度,铁电性能,地被,连系,系统监控,molar,fraction,RTA,极化率
AB值：
0.262664
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