典型文献
砷化镓热氧化法制备β-Ga2O3体块薄膜
文献摘要：
通过对p型砷化镓(p-GaAs)单晶衬底高温热氧化方法制备了β-Ga2O3体块薄膜.探讨了高温氧化过程中O2流量对β-Ga2O3体块薄膜形貌的影响.通过对体块薄膜的晶体质量、结构特性、光致发光特性的测试分析,可以发现在高温高氧环境下GaAs转变为β-Ga2O3体块薄膜的过程与Langmuir蒸发相关.当O2流量较低时(0.2 L/min),GaAs衬底处于缺氧状态,所制备样品呈现纳米线状形貌;而当通入O2流量超过0.4 L/min时,GaAs衬底被完全氧化为具有纳米岛状结构的β-Ga2O3体块薄膜,且晶体质量得到显著提高.本文提出的砷化镓单晶热氧化工艺可以高效、低成本地获得较高结晶质量的纳米结构β-Ga2O3体块薄膜,对于β-Ga2O3材料的应用具有极大的丰富作用.
文献关键词：
热氧化;纳米岛状体块薄膜;β-Ga2O3;氧气流量
中图分类号：
作者姓名：
刁肇悌;陈威;董鑫;焦腾;李政达
作者机构：
吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室,吉林 长春 130012
文献出处：
引用格式：
[1]刁肇悌;陈威;董鑫;焦腾;李政达-.砷化镓热氧化法制备β-Ga2O3体块薄膜)[J].发光学报,2022(07):1095-1101
A类：
纳米岛状体块薄膜
B类：
热氧化,氧化法,Ga2O3,GaAs,单晶衬底,温热,高温氧化,氧化过程,O2,薄膜形貌,晶体质量,结构特性,光致发光特性,测试分析,高氧,Langmuir,底处,备样,纳米线,线状,砷化镓单晶,氧化工艺,高结晶,结晶质量,纳米结构,氧气流量
AB值：
0.314268
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