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氧化镓薄膜外延生长及其应用研究进展
文献摘要：
β相氧化镓较碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料具有更加出色的材料特性,如更宽的禁带宽度(～4.9 eV)、更高的击穿场强(～8 MV/cm)、更大的巴利加优值(3400)和更低的衬底生长成本等,在大功率电子器件和日盲探测器等方面展现出巨大的应用前景.外延生长高质量的氧化镓薄膜是制备高性能器件的前提与基础.目前,虽然在高质量氧化镓单晶生长和器件研究等方面已取得了显著进展,但是仍存在较多问题,如异质外延晶体质量的提高、p型掺杂的实现、器件性能优化等.本文总结了近年来国内外研究者在氧化镓薄膜的生长技术、同质/异质外延、半导体掺杂、电学性质、接触特性及其在功率器件和紫外光电探测器应用等方面的研究进展.
文献关键词：
氧化镓;外延;缺陷;掺杂
中图分类号：
作者姓名：
蒋骞;张静;谢亮;孟军华;张兴旺
作者机构：
北方工业大学信息学院,北京100144;中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京100083;北京工业大学理学部,北京100124;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]蒋骞;张静;谢亮;孟军华;张兴旺-.氧化镓薄膜外延生长及其应用研究进展)[J].材料导报,2022(13):13-23
A类：
B类：
氧化镓,外延生长,碳化硅,氮化镓,第三代半导体,半导体材料,加出,出色,材料特性,禁带宽度,eV,击穿场强,MV,巴利,衬底,长成,大功率电子器件,日盲,单晶生长,异质外延,晶体质量,器件性能,性能优化,电学性质,接触特性,功率器件,紫外光电探测器
AB值：
0.381918
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