典型文献
直流磁控溅射法制备GZO薄膜及其结构和光电性能的研究
文献摘要：
为了提高GZO薄膜性能的稳定性,在溅射温度为室温、气压为0.2 Pa、靶基距为100 mm等工艺条件下,利用直流磁控溅射法在氧化铝基底上沉积超厚型的钱掺杂氧化锌(GZO)薄膜,并探究不同溅射功率对GZO薄膜的表面生长方式、内部晶体取向和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、四探针、原子力显微镜等仪器对制备的薄膜进行表征,结果发现随着溅射功率的增大,GZO薄膜晶胞的生长方向由径向生长变为横向生长;薄膜内的晶体结构的衍射峰先增强后降低;薄膜在可见光范围内的平均透光率出现先增大后减小,最后再次增加的趋势.GZO薄膜样品的方块电阻随功率的增加逐渐呈现出下降的趋势,当溅射功率为250 W时,薄膜的方块电阻最低,最低值为18Ω/□.当溅射功率为180 W时,薄膜的择优取向衍射峰峰值达到最大,薄膜的晶胞生长饱满并且结晶性能良好,薄膜表面致密性平整;GZO薄膜的平均透光率在可见光波段范围内达到最高并且接近95％,薄膜的方块电阻为34 Ω/□.
文献关键词：
直流磁控溅射;透明导电薄膜;GZO薄膜;晶体结构;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
张健;齐振华;李建浩;牛夏斌;唐智聪
作者机构：
沈阳化工大学机械与动力工程学院 沈阳110142
文献出处：
引用格式：
[1]张健;齐振华;李建浩;牛夏斌;唐智聪-.直流磁控溅射法制备GZO薄膜及其结构和光电性能的研究)[J].真空科学与技术学报,2022(04):311-316
A类：
内部晶体取向
B类：
直流磁控溅射法,GZO,光电性能,膜性能,溅射温度,Pa,工艺条件,氧化铝,厚型,氧化锌,溅射功率,面生,四探针,原子力显微镜,晶胞,生长方向,径向生长,晶体结构,透光率,方块电阻,出下,最低值,择优取向,峰峰,饱满,结晶性能,致密性,可见光波段,透明导电薄膜
AB值：
0.231842
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