典型文献
磁控溅射法制备ZAO薄膜的性能分析
文献摘要：
ZAO薄膜具有电导率高、光学透射率高的优点,且易掺杂、制备成本低廉,是ZnO基透明导电薄膜的重要研究方向.采用磁控溅射法制备ZAO薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、UV-8000型紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等设备研究了Al掺杂量、衬底温度对ZAO薄膜结构、形貌、光电性能的影响.结果表明,ZAO薄膜晶粒均以c轴(002)方向为主择优取向生长,所有的ZAO薄膜均为纤锌矿结构,薄膜表面平整.随着Al掺杂量的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐减弱至消失.薄膜方块电阻随着衬底温度升高先减小后缓慢增大,其中衬底温度为200℃时,方块电阻约为3.64×106Ω/□,导电性最好.而且该薄膜具有较好的可见光范围内平均透过率,约为85％.
文献关键词：
ZAO薄膜;磁控溅射;衬底温度;电阻;透光率
中图分类号：
作者姓名：
张宇
作者机构：
辽宁开放大学,辽宁沈阳 110034
文献出处：
引用格式：
[1]张宇-.磁控溅射法制备ZAO薄膜的性能分析)[J].电大理工,2022(01):26-30
A类：
ZAO
B类：
磁控溅射法,电导率,光学透射,透射率,制备成本,ZnO,透明导电薄膜,场发射扫描电子显微镜,UV,分光光度计,四探针,测试仪,衬底温度,薄膜结构,光电性能,晶粒,择优取向,锌矿,衍射峰强度,方块电阻,先减,导电性,可见光,内平,透过率,透光率
AB值：
0.252925
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
