典型文献
磁控溅射制备铝掺杂氮化铜薄膜的结构及光电性能研究
文献摘要：
以高纯铜和铝为靶材,氮气和氩气分别为源气体和工作气体,采用双靶共溅射磁控技术在单晶硅和石英片上制备了铝掺杂氮化铜(Cu3N∶Al)薄膜.对Cu3N:Al薄膜的表面形貌、晶体结构、光透射性能和电学性能等进行表征、分析.研究结果表明,掺杂Al原子进入Cu3N晶格空位;随着Al靶的直流溅射功率增大,Cu3N∶Al薄膜中Al含量增加;Al掺杂使得薄膜颗粒尺寸增大,薄膜表面变得粗糙.Cu3N∶Al薄膜表现为半导体特性,其光学带隙范围在1.41-1.80eV;Al掺杂后,Cu3N薄膜的光学带隙减小,其原因是掺杂Al原子改变了晶体内非平衡载流子寿命,导致薄膜的光学带隙降低.可见,通过调控Cu3N薄膜中掺杂金属原子含量,可实现对其光电特性的调制.
文献关键词：
氮化铜薄膜;铝掺杂;磁控溅射;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
崔馨予;吴文静;卢学良;彭香伟;肖剑荣
作者机构：
桂林理工大学理学院 桂林 541004
文献出处：
引用格式：
[1]崔馨予;吴文静;卢学良;彭香伟;肖剑荣-.磁控溅射制备铝掺杂氮化铜薄膜的结构及光电性能研究)[J].真空科学与技术学报,2022(02):104-109
A类：
磁控技术,直流溅射功率,80eV
B类：
磁控溅射,铝掺杂,氮化铜薄膜,光电性能,高纯铜,靶材,氮气,氩气,气分,共溅射,单晶硅,石英,Cu3N,表面形貌,晶体结构,光透射,电学性能,晶格,空位,颗粒尺寸,光学带隙,非平衡,载流子寿命,光电特性
AB值：
0.230427
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
