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铟镓共掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结生长行为和光电性能的影响
文献摘要：
利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加.XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移.同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响.与纯ZnO相比,共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果.I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性.
文献关键词：
In和Ga共掺杂;ZnO纳米棒;n-ZnO/p-GaN异质结;低温水热法;光学性质;导电性;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
尹佳奇;余春燕;翟光美;李天保;张竹霞
作者机构：
太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学航空航天学院,太原 030024
文献出处：
引用格式：
[1]尹佳奇;余春燕;翟光美;李天保;张竹霞-.铟镓共掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结生长行为和光电性能的影响)[J].人工晶体学报,2022(06):1012-1019
A类：
B类：
共掺杂,ZnO,纳米棒,GaN,异质结,光电性能,低温水热法,上生,In,光电子能谱,XPS,线能量,色谱仪,EDS,固溶,取向性,掺杂浓度,晶格常数,低角,光学性质,红移,带隙,重整,特性曲线,导电性
AB值：
0.203595
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