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28 nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究
文献摘要：
随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要.组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一.设计了一款28 nm体硅工艺单粒子瞬态脉冲宽度检测电路,包括数字电路中常用的反相器、与非门和或非门3种类型的组合逻辑单元,并考虑了驱动能力和输入个数,电路还包括宽量程和高精度的脉冲宽度检测结构.经单粒子效应试验,获得了单粒子辐射在不同逻辑单元中产生的脉冲宽度.试验结果表明:测试电路中的最大脉冲宽度为234 ps,器件组合形式及版图风格等因素导致脉冲宽度不同.分析了器件叉指结构和P管串联结构等组合形式或版图风格对脉冲宽度的影响.
文献关键词：
28nm体硅;组合逻辑电路;辐射试验;单粒子瞬态;脉冲宽度
中图分类号：
作者姓名：
李同德;赵元富;王亮;舒磊;苑靖爽;黄昊;王维
作者机构：
北京微电子技术研究所,北京100076;中国航天电子技术研究院;中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术试验室 北京100094
文献出处：
引用格式：
[1]李同德;赵元富;王亮;舒磊;苑靖爽;黄昊;王维-.28 nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究)[J].现代应用物理,2022(01):105-109
A类：
体硅工艺
B类：
工艺组合,组合逻辑电路,单粒子瞬态,脉冲宽度,single,event,transient,SET,软错误,集成电路,抗辐射加固设计,宽度检测,检测电路,数字电路,反相器,与非门,或非门,驱动能力,宽量程,检测结构,单粒子效应,应试,单粒子辐射,测试电路,ps,组合形式,版图,叉指结构,串联结构,28nm,辐射试验
AB值：
0.313171
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