典型文献
电子束直写大深宽比Si3N4薄膜支撑的光栅X射线准直器
文献摘要：
为了开发新的X射线准直器,利用电子束光刻(EBL)技术,结合电镀和湿法化学刻蚀工艺,在悬空的Si3N4隔膜上制作了大面积、高深宽比、微米周期的Au光栅.调整场拼接区域的曝光剂量解决了大面积的EBL光刻问题;用加强筋结构克服了制作高深宽比、高密度光刻胶模板时线条倒塌问题;通过在Si3N4隔膜下面保留很薄一层Si(25 nm厚)和改善显影工艺,克服了厚光刻胶在300 nm厚的Si3N4隔膜上显影时,光刻胶的断裂问题.实验结果显示,所制备的2μm周期、深宽比为5.5,面积为400μm×1000μm的Au光栅可以对光子能量为8 keV的X射线进行调制.所制备的Au光栅狭缝可以用作线平行X射线断层成像系统的探测器准直器件,或面平行X射线断层成像系统的光源准直器件,提高系统的成像速度.
文献关键词：
X射线准直器;Au光栅;电子束光刻;大深宽比;金电镀
中图分类号：
作者姓名：
李艺杰;肖君;陈宜方;童徐杰;穆成阳
作者机构：
复旦大学信息科学与工程学院纳米光刻与应用科研组,上海200433
文献出处：
引用格式：
[1]李艺杰;肖君;陈宜方;童徐杰;穆成阳-.电子束直写大深宽比Si3N4薄膜支撑的光栅X射线准直器)[J].光学精密工程,2022(10):1181-1188
A类：
电子束直写
B类：
大深宽比,Si3N4,光栅,准直器,开发新,电子束光刻,EBL,湿法,化学刻蚀,刻蚀工艺,悬空,隔膜,高深宽比,微米,Au,整场,拼接,曝光剂量,加强筋,筋结,光刻胶,线条,倒塌,很薄,显影工艺,光子能量,keV,狭缝,断层成像,成像系统,探测器,光源,金电镀
AB值：
0.316898
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