典型文献
覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构
文献摘要：
通过理论仿真和实际制备测试,分析比较了基于非对称量子阱结构(10 nm厚和6 nm厚的量子阱组合)的光放大芯片与对称量子阱结构(10 nm厚量子阱)的光放大芯片的性能.两种结构的理论模式增益同最终实测值符合较好.最终光谱测试结果显示,对称量子阱结构的光放大芯片存在基态增益饱和的现象,在大电流注入情况下,激态跃迁占据优势,从而造成光谱宽度急剧下降.而非对称量子阱结构的光放大芯片的光谱宽度随着注入电流的增加不断拓宽,在600 mA下实现199.7 nm光谱带宽,覆盖S+C波段.由此可见,非对称量子阱结构更有利于实现高功率、宽光谱的光放大芯片.
文献关键词：
宽光谱;S+C波段;InGaAlAs/InP;对称和非对称多量子阱
中图分类号：
作者姓名：
周帅;冯琛;廖苗苗;罗晶;彭芳草;贺勇;段利华;张靖
作者机构：
重庆光电技术研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]周帅;冯琛;廖苗苗;罗晶;彭芳草;贺勇;段利华;张靖-.覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构)[J].半导体光电,2022(05):914-917
A类：
InGaAlAs,非对称量子阱,对称和非对称多量子阱
B类：
S+C,波段,宽光谱,InP,理论仿真,理论模式,实测值,基态,大电流注入,跃迁,光谱宽度,急剧下降,mA,高功率
AB值：
0.175178
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