典型文献
带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管
文献摘要：
为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析.首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO2组合介质层,在远离腔面的增益区域覆盖50 nm Si/100 nm TiO2组合介质层,并采用875℃/90 s快速热处理工艺促进Si杂质扩散诱导量子阱混杂并去除非辐射复合中心.然后,基于相同外延结构、相同流片工艺制备了无非吸收窗口的激光二极管作对照组.测试结果显示,带有非吸收窗口的新型激光二极管平均峰值输出功率提升约33.6％,平均峰值输出电流提升约50.4％,腔面光学灾变损伤的发生概率和破坏程度均明显降低,且其阈值电流、斜率效率及半高全宽等特性也无任何退化.该研究证明,采用Si杂质诱导量子阱混杂技术制备的非吸收窗口,对近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管腔面光学灾变损伤有明显的抑制效果.
文献关键词：
半导体激光二极管;腔面光学灾变损伤;量子阱混杂;非吸收窗口
中图分类号：
作者姓名：
刘翠翠;林楠;马骁宇;井红旗;刘素平
作者机构：
中国原子能科学研究院 核物理所, 北京 102413;国防科技工业抗辐照应用技术创新中心, 北京 102413;中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心, 北京 100083;中国科学院大学, 北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]刘翠翠;林楠;马骁宇;井红旗;刘素平-.带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管)[J].发光学报,2022(01):110-118
A类：
半导体激光二极管
B类：
非吸收窗口,InGaAs,AlGaAs,近红外,单发,发射区,失效阈值,功率提升,腔面光学灾变损伤,量子阱混杂,测试分析,谐振腔,口区,区域覆盖,SiO2,TiO2,快速热处理,热处理工艺,杂质扩散,除非,非辐射复合,流片,工艺制备,无非,输出功率,输出电流,发生概率,破坏程度,阈值电流,半高全宽,无任,杂技,管腔,抑制效果
AB值：
0.232513
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