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Ge/SiGe多量子阱调制器的研究进展
文献摘要：
硅基光子集成技术在众多领域已经取得了重大突破，但目前唯一能实现全部硅基集成有源器件且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的材料是锗硅材料体系。Ge/SiGe多量子阱作为硅基光调制器在硅芯片上能实现短距离光互连，基于量子限制斯塔克效应的Ge/SiGe多量子阱调制器具有低功耗、低偏压、高速率的优点。总结了基于Ge/SiGe多量子阱调制器的研究现状和进展，讨论对比了Ge/SiGe多量子阱调制器的消光比、光损耗、偏置电压、电场、光调制器的调制带宽、暗电流等性能参数，展望了Ge/SiGe多量子阱调制器在集成光子学中的发展方向和面临的挑战。
文献关键词：
光学器件;硅基光子学
中图分类号：
作者姓名：
黄强;张意;孙军强;余长亮;高建峰;江佩璘;石浩天;黄楚坤
作者机构：
华中科技大学武汉光电国家研究中心，湖北 武汉 430074;邵阳学院电气工程学院多电源地区电网运行与控制湖南省重点实验室，湖南 邵阳 422000;武汉飞思灵微电子技术有限公司，湖北 武汉 430040
文献出处：
引用格式：
[1]黄强;张意;孙军强;余长亮;高建峰;江佩璘;石浩天;黄楚坤-.Ge/SiGe多量子阱调制器的研究进展)[J].激光与光电子学进展,2022(19):1900003
A类：
锗硅材料,量子限制斯塔克效应
B类：
SiGe,多量子阱,光子集成,集成技术,重大突破,硅基集成,有源器件,互补金属氧化物半导体,半导体工艺,工艺兼容,材料体系,光调制器,硅芯,短距离,光互连,低功耗,偏压,高速率,现状和进展,消光比,偏置电压,调制带宽,暗电流,性能参数,集成光子学,光学器件,硅基光子学
AB值：
0.253499
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