典型文献
低温808nm高效率半导体激光器
文献摘要：
为了提高低温工作环境下808 nm半导体激光器的输出特性,深入研究了电光转换效率的温度特性.结合载流子泄漏抑制和器件串联电阻的优化考虑,从理论上深入分析了有源区量子阱内的载流子限制现象,提出针对低温工作环境下的势垒高度及相应的量子阱结构设计方法,包括势垒层的材料组分、厚度等重要参数的优化,极大地改善了器件在低温工作环境下的性能.采用优化后的外延结构,制备了腔长2 mm的半导体激光巴条.在工作温度-50℃、注入电流为600 A时,巴条输出功率达到799 W,电光转换效率为71％,斜率效率为1.34 W/A;注入电流为400 A时,器件达到最高电光转换效率73.5％,此时的载流子限制效率约为99％,串联电阻为0.43 mΩ;在-60～60℃温度范围内,中心波长随温度的漂移系数为0.248 nm/℃.
文献关键词：
半导体激光器;载流子泄漏;低温;高效率;温度效应
中图分类号：
作者姓名：
吴顺华;刘国军;王贞福;李特
作者机构：
长春理工大学 光电工程学院, 吉林 长春 130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022;海南师范大学物理与电子工程学院 海南省激光技术与光电功能材料重点实验室, 海南 海口 571158;中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西 西安 710119
文献出处：
引用格式：
[1]吴顺华;刘国军;王贞福;李特-.低温808nm高效率半导体激光器)[J].发光学报,2022(05):786-795
A类：
载流子泄漏
B类：
808nm,半导体激光器,高低温,输出特性,电光转换效率,温度特性,串联电阻,化考,有源,源区,量子阱,势垒高度,材料组分,重要参数,光巴,工作温度,输出功率,功率达,中心波长,长随,漂移,温度效应
AB值：
0.285489
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