典型文献
1.3 μm高速直调半导体激光器
文献摘要：
设计一种基于AlGaInAs材料的1.3μm高速直调半导体激光器,该激光器采用脊波导、长度较短的腔和11个5 nm厚度的多量子阱结合30 nm厚度的缓变折射率分别限制异质结结构(GRIN-SCH),实现了低阈值、宽带宽和较大功率的光输出.采用均匀光栅和不对称腔面镀膜的方式实现了稳定的单纵模输出.最终制得的1.3μm高速直调半导体激光器,在室温下,阈值电流为7.5 mA,3 dB小信号调制带宽可达25 GHz,大信号背靠背传输速率可达40 Gb/s,斜率效率为0.35 mW/mA,最大输出功率约为39 mW,边模抑制比可达40 dB.
文献关键词：
激光器;1.3μm直调激光器;宽带宽;大功率;低阈值
中图分类号：
作者姓名：
夏施君;许博蕊;徐鹏飞;包帅;王任凡;朱尧;李伟;祝宁华
作者机构：
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049;中国科学院大学电子电气与通信工程学院,北京100049;江苏华兴激光科技股份有限公司,江苏徐州221300;武汉敏芯半导体股份有限公司,湖北武汉430223
文献出处：
引用格式：
[1]夏施君;许博蕊;徐鹏飞;包帅;王任凡;朱尧;李伟;祝宁华-.1.3 μm高速直调半导体激光器)[J].光学学报,2022(16):153-159
A类：
B类：
半导体激光器,AlGaInAs,脊波导,多量子阱,折射率,异质结结构,GRIN,SCH,低阈值,宽带宽,大功率,光输出,匀光,光栅,腔面镀膜,单纵模输出,阈值电流,mA,dB,小信号,信号调制,调制带宽,GHz,大信号,背靠背,传输速率,Gb,mW,最大输出功率,边模抑制比
AB值：
0.399962
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