典型文献
基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计
文献摘要：
通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱(MQWs)发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究.结果表明,通过调节双波长堆叠的InGaN多量子阱的阱层和垒层厚度,可调控载流子特别是空穴在量子阱有源区的分布,实现双波长发光峰比例调制.进而考察了在相同外延条件下生长的半极性面InGaN/GaN堆叠量子阱LED的发光特性.在此基础上,提出基于多波长堆叠InGaN/GaN多量子阱结构的c面和{1011}或{1122}半极性面混合的单芯片白光LED设计方案,通过调节c面发光光谱在混合光谱中的比例,可获得覆盖大部分可见光波段、色温从4500～9000 K可调、且显色指数最高可达91.3的白光.
文献关键词：
单芯片白光LED;半极性面;InGaN;极化效应
中图分类号：
作者姓名：
王永嘉;杨旭;李金钗;黄凯;康俊勇
作者机构：
厦门大学 物理学系,微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心,福建省半导体材料及应用重点实验室,半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建 厦门 361005;厦门市未来显示技术研究院 嘉庚创新实验室,福建 厦门 361005
文献出处：
引用格式：
[1]王永嘉;杨旭;李金钗;黄凯;康俊勇-.基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计)[J].发光学报,2022(07):1130-1138
A类：
MQWs,半极性面
B类：
微米,阵列结构,单芯片,白光,LED,有源,源区,InGaN,多量子阱,模拟仿真,真对,双波长,堆叠,发光二级管,载流子浓度,自发辐射,极化电场,可调控,空穴,发光特性,多波长,发光光谱,可见光波段,色温,显色指数,极化效应
AB值：
0.267607
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