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回音壁微腔激光器电老化试验及寿命分析
文献摘要：
为了考察深刻蚀结构的回音壁模式半导体微腔激光器的寿命,采用恒电流模式对InGaAsP/InP多量子阱耦合双圆微腔激光器进行了电老化试验,电流应力为100 mA,老化总时长为1400 h.对比了电老化试验前期、中期和后期器件的输出光谱和功率-电压-电流(P-V-I)特性,以器件稳定工作的电老化中期为例分析了器件的性能.分析了输出功率和阈值电流随时间的变化情况,判断出在电老化试验期间器件退化模式始终为渐进模式.以器件输出功率降到初始值的50％作为失效判据标准,在100 mA电流下,器件的寿命约为1200 h.
文献关键词：
激光器;微腔;可靠性;电老化试验;电流应力;寿命
中图分类号：
作者姓名：
樊碤润;肖金龙;杨跃德;郝友增;黄勇涛;黄永箴
作者机构：
中国科学院大学微电子学院,北京100049;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]樊碤润;肖金龙;杨跃德;郝友增;黄勇涛;黄永箴-.回音壁微腔激光器电老化试验及寿命分析)[J].中国激光,2022(06):1-7
A类：
半导体微腔激光器
B类：
电老化试验,寿命分析,刻蚀,回音壁模式,恒电流,电流模式,InGaAsP,InP,多量子阱,电流应力,mA,验前,输出光谱,输出功率,阈值电流,试验期,退化模式,初始值,失效判据,流下
AB值：
0.246368
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