典型文献
Ge/SixGe1-x衬底620 nm半导体激光器的特性
文献摘要：
短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源.基于Ge/SixGe1-x衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器.该激光器使用Ge衬底以及SixGe1-x基体层,通过改变SixGe1-x层中的Si摩尔分数调整激光器结构中每层AlGaInP系材料的晶格常数,从而实现高Ga摩尔分数的GaInP量子阱并将GaInP量子阱的激光波长缩短至620 nm.通过计算SiGe、AlGalnP系材料的物理参数,研究了 GaInP量子阱有源区结构和SixGe1-x基体层组分对输出特性的影响规律,优化了激光器的结构参数.模拟结果表明,298 K温度下设计的激光器输出波长为620 nm,阈值电流为0.58 A,输出功率为1.20 W,转换效率为38.3％.
文献关键词：
激光器;半导体激光器;短波长红光激光;晶格调制;Ge/SixGe1-x衬底
中图分类号：
作者姓名：
林涛;解佳男;穆妍;李亚宁;孙婉君;张霞霞;杨莎;米帅
作者机构：
西安理工大学自动化与信息工程学院,陕西 西安710048;西安理工大学陕西省复杂系统控制与智能信息处理重点实验室,陕西西安710048
文献出处：
引用格式：
[1]林涛;解佳男;穆妍;李亚宁;孙婉君;张霞霞;杨莎;米帅-.Ge/SixGe1-x衬底620 nm半导体激光器的特性)[J].激光与光电子学进展,2022(19):227-233
A类：
SixGe1,短波长红光激光,AlGaInP,AlGalnP,晶格调制
B类：
衬底,半导体激光器,光是,激光显示,波段,光源,摩尔分数,每层,晶格常数,量子阱,激光波长,SiGe,物理参数,有源,源区,输出特性,下设,阈值电流,输出功率,转换效率
AB值：
0.177186
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