典型文献
(10(-1)1)面InGaN量子阱中的静电场反转对蓝光发光二极管光电性能的影响
文献摘要：
通过InGaN/GaN单量子阱模型研究了极化强度随晶面取向的变化,结果显示半极性(10(-1)1)面量子阱中的极化电场反转导致其能带向上弯曲,电子波函数靠近n侧,这有望抑制电子泄漏.对(10(-1)1)面InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管(LED)外延结构的模拟表明半极性(10(-1)1)面提高了量子垒的有效阻挡势垒,抑制了电子泄漏.此外,(10(-1)1)面极大地降低了空穴注入势垒,实现了载流子的均衡分布,降低了俄歇复合概率,最终在电流密度为300 A/cm2时,与(0001)面42％的效率骤降相比,(10(-1)1)面GaN基LED的效率骤降低至9％,发光强度提高48％.(10(-1)1)面InGaN量子阱的静电场反转特性是其具有优异光电性能的一个重要原因.
文献关键词：
光电子学;发光二极管;(10(-1)1);静电场反转;载流子浓度匹配;效率骤降;电子泄漏
中图分类号：
作者姓名：
尹瑞梅;贾伟;董海亮;贾志刚;李天保;余春燕;张竹霞;许并社
作者机构：
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西太原030024;山西浙大新材料与化工研究院,山西太原030032;陕西科技大学材料原子和分子科学研究所,陕西西安710021
文献出处：
引用格式：
[1]尹瑞梅;贾伟;董海亮;贾志刚;李天保;余春燕;张竹霞;许并社-.(10(-1)1)面InGaN量子阱中的静电场反转对蓝光发光二极管光电性能的影响)[J].光学学报,2022(21):204-212
A类：
静电场反转,载流子浓度匹配
B类：
InGaN,转对,蓝光,发光二极管,光电性能,极化强度,晶面,极化电场,转导,带向,子波,波函数,电子泄漏,多量子阱,LED,阻挡,空穴,注入势垒,电流密度,效率骤降,发光强度,反转特性,光电子学
AB值：
0.257565
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