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带间级联激光器电子注入区优化研究(特邀)
文献摘要：
带间级联激光器有源区内部的物理机制复杂,尚未得到充分研究.优化了电子注入区结构,通过减小InAs/AlSb啁啾超晶格中InAs量子阱的厚度促进电子向光增益区的注入,在较低的电子注入区掺杂浓度下满足了光增益区电子数和空穴数基本相等的注入平衡条件,降低了有源区中自由载流子吸收和杂质散射造成的光损耗.采用该有源区结构的带间级联激光器实现了较好的室温激射性能,腔长4 mm、脊宽20μm且腔面未镀膜器件的阈值电流为200 mA,单腔面出光功率为55 mW.通过分析2～5 mm不同腔长器件的电压-电流-光功率性能,得到器件的波导损耗仅为3 cm?1,有源区载流子寿命为0.7 ns.
文献关键词：
半导体激光器;中红外;分子束外延;带间级联激光器;量子阱;锑化物
中图分类号：
作者姓名：
宁超;孙瑞轩;于天;刘舒曼;张锦川;卓宁;王利军;刘俊岐;翟慎强;李远;刘峰奇
作者机构：
中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院大学 材料与光电研究中心,北京 100049;北京量子信息科学研究院,北京 100193
文献出处：
引用格式：
[1]宁超;孙瑞轩;于天;刘舒曼;张锦川;卓宁;王利军;刘俊岐;翟慎强;李远;刘峰奇-.带间级联激光器电子注入区优化研究(特邀))[J].光子学报,2022(02):92-98
A类：
带间级联激光器
B类：
电子注入,注入区,特邀,有源,源区,物理机制,InAs,AlSb,啁啾,超晶格,量子阱,向光,掺杂浓度,电子数,空穴,穴数,相等,注入平衡,平衡条件,激射,脊宽,镀膜,阈值电流,mA,光功率,mW,率性,波导,载流子寿命,ns,半导体激光器,中红外,分子束外延,锑化物
AB值：
0.403256
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