典型文献
应变补偿多量子阱结构半导体可饱和吸收镜
文献摘要：
应用于掺镱(Yb)光纤激光器的半导体可饱和吸收镜(SESAM)需要具有较高的调制深度,即将较厚的砷化铟镓(InGaAs)材料作为吸收层.然而,InGaAs材料与砷化镓(GaAs)衬底之间的大失配,导致过厚的InGaAs材料质量极易恶化,影响锁模效果.因此,优化的外延结构设计和高质量的外延材料成为研制高性能SESAM的关键.本文设计了吸收层InGaAs材料总厚度分别为150 nm和300 nm的两种应变补偿多量子阱(MQW)结构的SESAM,利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方法进行外延材料生长,采用光致发光光谱仪、高分辨X射线衍射仪和分光光度计对外延材料特性进行表征,优化外延材料生长参数.将研制的两种SESAM应用到线型腔掺Yb光纤激光器中,实现稳定锁模的泵浦功率分别为130 mW和120 mW,输出激光脉宽分别为18.3 ps和9.6 ps.实验结果表明,吸收层InGaAs材料厚度为300 nm的SESAM更容易实现稳定锁模并获得脉宽较窄的激光脉冲输出.
文献关键词：
激光器;超快激光器;半导体可饱和吸收镜;金属有机化合物气相沉积;应变补偿多量子阱结构
中图分类号：
作者姓名：
林楠;仲莉;黎海明;马骁宇;熊聪;刘素平;张志刚
作者机构：
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049;广东华快光子科技有限公司,广东 中山528436;北京大学信息科学技术学院,北京100871
文献出处：
引用格式：
[1]林楠;仲莉;黎海明;马骁宇;熊聪;刘素平;张志刚-.应变补偿多量子阱结构半导体可饱和吸收镜)[J].中国激光,2022(11):11-20
A类：
应变补偿多量子阱结构,半导体可饱和吸收镜,收镜,金属有机化合物气相沉积
B类：
Yb,光纤激光器,SESAM,调制深度,较厚,砷化铟,InGaAs,砷化镓,衬底,失配,材料质量,锁模,MQW,MOCVD,材料生长,光致发光光谱,光谱仪,分光光度计,材料特性,化外,生长参数,线型,型腔,泵浦功率,mW,脉宽,ps,材料厚度,较窄,激光脉冲,脉冲输出,超快激光器
AB值：
0.221249
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