典型文献
基于薄膜工艺的1030 GHz混频器和750～1100 GHz倍频器研制
文献摘要：
基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750～1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制.为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环.研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中.测试结果表明宽带倍频器在790～1100 GHz频率范围内输出功率为-23～-11 dBm.以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020～1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB.
文献关键词：
太赫兹;单片电路;谐波混频器;宽带倍频
中图分类号：
作者姓名：
孟进;张德海;牛斌;朱皓天;刘锶钰;范道雨;陈胜堂;周明
作者机构：
中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室,北京100190;南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司,江苏南京210016
文献出处：
引用格式：
[1]孟进;张德海;牛斌;朱皓天;刘锶钰;范道雨;陈胜堂;周明-.基于薄膜工艺的1030 GHz混频器和750～1100 GHz倍频器研制)[J].红外与毫米波学报,2022(05):871-878
A类：
单片电路,宽带倍频
B类：
薄膜工艺,GHz,电子器件,砷化镓,工艺线,全频,频带,三倍频器,中心频率,低损耗,二次谐波,次谐波混频器,场路结合,过梁,引线,悬置,腔体,输出功率,dBm,射频信号,变频损耗,太赫兹
AB值：
0.274637
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