典型文献
InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现
文献摘要：
利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器.采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律.对研制的RTD器件直流特性测试显示:峰值电流密度Jp为359.2 kA/cm2,谷值电流密度Jv为135.8 kA/cm2,峰谷电流比PVCR为2.64,理论计算得到的器件最大射频输出功率和振荡频率(fmax)分别为1.71 mW和1.49 THz.利用透镜封装的形式对采用Bow-tie片上天线和RTD设计的太赫兹振荡器进行封装,测试得到振荡频率超过1 THz,输出功率为2.57μW,直流功耗为8.33 mW,是国内首次报道超过1 THz的振荡器.
文献关键词：
太赫兹;共振隧穿二极管;振荡器
中图分类号：
作者姓名：
刘军;宋瑞良;刘宁;梁士雄
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心,北京 100070;河北半导体技术研究所专用集成电路国家重点实验室,河北石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]刘军;宋瑞良;刘宁;梁士雄-.InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现)[J].红外与毫米波学报,2022(02):443-447
A类：
PVCR
B类：
InP,共振隧穿二极管,太赫兹,振荡器,RTD,硅透镜,上天,天线设计,设计实现,THz,Silvaco,仿真研究,发射区,掺杂浓度,势垒,隔离层厚度,势阱,直流特性测试,峰值电流密度,Jp,kA,谷值,Jv,峰谷电,电流比,输出功率,振荡频率,fmax,mW,封装,Bow,tie,试得,功耗,首次报道
AB值：
0.400169
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