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SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究
文献摘要：
针对微机电系统(MEMS)绝缘体上硅(SOI)压力敏感芯片电阻条刻蚀过程中易损伤的问题,对敏感电阻条的刻蚀工艺进行优化设计,通过调整平板功率、气体流量比例等参数,最终找出最优的工艺参数,减少等离子体对敏感电阻条的侧向损伤,从而提高SOI压力敏感芯片的稳定性.
文献关键词：
绝缘体上硅压力敏感芯片;敏感电阻条刻蚀;稳定性
中图分类号：
作者姓名：
吴佐飞;齐虹;张岩;尚瑛琦;刘嘉铭;岳宏
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150028
文献出处：
引用格式：
[1]吴佐飞;齐虹;张岩;尚瑛琦;刘嘉铭;岳宏-.SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究)[J].传感器与微系统,2022(03):66-67,75
A类：
敏感电阻条刻蚀,绝缘体上硅压力敏感芯片
B类：
SOI,压力芯片,微机电系统,MEMS,中易,易损,刻蚀工艺,整平,气体流量,流量比,侧向
AB值：
0.196641
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